ترانزیستور ESBT تجهیزات الکترونیکی با توان بالا هدف قرار داده است
شرکت ST ترانزیستور دو قطبی سوئیچ شده با امیتر ترکیبی Hybrid Emitter-Switched Transistor (ESBT) را برای استفاده در تجهیزات جوشکاری ، سیستم های گرمایش القایی و اصلاح ضریب قدرت برای تقویت کننده های صوتی معرفی کرده است. این ترانزیستور در حقیقت یک ترانزیستور دو قطبی قدرت ولتاژ بالا است که به صورت Cascade با یک ماسفت قدرت ولتاژ پایین متصل شده است.
به عنوان مثال STC03DE220HV دارای ولتاژ کلکتور- سورس 2200 ولت و جریان کلکتور حداکثر 3 آمپر است.این دسته از قطعات الکترونیکی در توانهای متفاوت و پکیج های مختلف طراحی و ساخته شده اند. این المان برای ترکیب نقاط قوت و از بین بردن اشکالات فن آوری های دو قطبی و MOSFET طراحی شده است.
فناوری دو قطبی قدرت Power BJT تا به امروز در برنامه های سوئیچینگ برق در فرکانسهای بسیار کمتر از 70 کیلوهرتز استفاده شده است. ولتاژ اشباع کلکتور- امیتر پایین ترانزیستورهای دوقطبی ولتاژ بالا باعث کاهش تلفات هدایت می شود که نکته بسیار حائذ اهمیتی در خصوص بکار گیری آنها می باشد. از معایب ترانزیستورهای دوقطبی BJT می توان به سرعت پایین سوئیچینگ ، نیاز به جریان زیاد راه اندازی و مشکلات مربوط به تنظیم دقیق این مدار اشاره کرد.
فناوری MOSFETماسفت به طور گسترده ای در برنامه های سوئیچینگ قدرت با فرکانس بالا استفاده می شود. از مزایای اصلی MOSFET می توان به قابلیت بالا بودن سرعت سوئیچینگ و نیاز به جریان بسیار کم از مدارهای راه انداز (دائمی) آن اشاره کرد. از اشکالات این فناوری می توان به هزینه بیشتر آن در مقایسه با فناوری دو قطبی و همچنین تلفات هدایت بالاتر نسبت به ترانزیستور دو قطبی مشابه ولتاژ بالا اشاره کرد.
ESBT با ترکیب مزایا و از بین بردن اشکالات هر دو فناوری ، به کاهش تلفات هدایت کمک می کند ، در حالی که عملکرد خوبی را در سوئیچینگ با سرعت بالا تا 150 کیلوهرتز مانند MOSFET ارائه می دهد. علاوه بر این ، به لطف پیکربندی cascode و فناوری دو قطبی اختصاصی قادر است تا در توپولوژی های سخت سوئیچینگ کار کند.